檢索結果：共4筆資料 檢索策略： "莊敏宏".ccommittee (精準) and ckeyword.raw="電壓控制振盪器"
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電壓控制振盪器為頻率合成器中之主要電路區塊，振盪器的操作頻率範圍決定頻率合成器之頻寬，因此在寬頻應用中需要寬頻電壓控制振盪器。一個好的振盪器必須具有低相位雜訊之特性，以避免相鄰頻帶雜訊的混波轉換…
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這論文的第四章提出一個具有除二、除四的注入鎖定除頻器(ILFD)，此ILFD是由3.5GHZ的四相位電壓控制振盪器和用作注入訊號的兩個NMOS所組成。而製作上是採用TSMC 0.18-um CMOS…
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此論文提出了二個壓控振盪器和二個注入鎖定除頻器，它們分別使用了標準台積電0.18微米和0.35微米CMOS製程去實現。 第三章提出一個新型CMOS注入鎖定除頻器，採用0.35-µm CM…
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電壓控制振盪器與除頻器是頻率合成器電路中，主要的電路之一。對電壓控制振盪器而言，低相位雜訊可避免相鄰雜訊訊號經由混波轉換的干擾。而振盪器的輸出則經由除頻器來達成降頻的工作，因此，除頻器需具有高頻操作…